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2018年全球半導體資本支出將首度破千億美元大關

來源:Technews 日期:2018年5月25日

受惠于半導體產業仍處于循環周期高檔的因素,市場調查機構IC insight 調查報告指出,2018 年全球半導體產業的資本支出將首次突破千億美元大關。

報告表示,之前在2018 年3 月份,IC insight 曾經預期2018 年全年半導體的資本支出將成長8%。如今,才不到一季的時間,IC insight 就把預估值由原本的8% 上調至14%。這樣看來,2018 年全年的半導體支出將首次破千億美元大關,而且金額將比2016 年足足成長53%。

報告進一步指出,近兩年來,始終位居半導體資本支出龍頭的韓國三星,雖然2018 年還未公布全年的資本支出金額,但是一般相信,將不會超出2017 年242 億美元的數字。不過,就目前的觀察,三星仍在上緊發條不放松。

事實上,三星在2018 年第1 季的半導體資本支出達到67.2 億美元,較之前3 季水平略高。但是,若相較2016 年同期,則已經成長近4 倍的規模。累計過去4 季以來,三星半導體部門的資本支出已經達到266 億美元的金額。

IC insight 預期,2018 年三星半導體的資本支出將在200 億元上下,略低于2017 年242 億美元。不過,因為2018 年首季就有較之前略高的成長。因此,最后的結果很可能將比預期的200 億美元來的高。

另外,因為NAND Flash 及DRAM 的市場需求強勁,韓國存儲器大廠SK 海力士預期也將在2018 年增加資本支出至115 億美元,較2017 年的81 億美元成長42%。

SK 海力士在2018 年增加的資本支出,將主用于在韓國清州兩家大型存儲器工廠的建置工作上。另外,還要擴大中國無錫的DRAM 工廠。清州工廠在2018 年年底前將開始興建,而中國無錫DRAM 廠的擴建,也計劃在2018年年底前動工,這時間將比原計劃的2019 年初開工要早幾個月。受惠于半導體產業仍處于循環周期高檔的因素,市場調查機構IC insight 調查報告指出,2018 年全球半導體產業的資本支出將首次突破千億美元大關。

報告表示,之前在2018 年3 月份,IC insight 曾經預期2018 年全年半導體的資本支出將成長8%。如今,才不到一季的時間,IC insight 就把預估值由原本的8% 上調至14%。這樣看來,2018 年全年的半導體支出將首次破千億美元大關,而且金額將比2016 年足足成長53%。

報告進一步指出,近兩年來,始終位居半導體資本支出龍頭的韓國三星,雖然2018 年還未公布全年的資本支出金額,但是一般相信,將不會超出2017 年242 億美元的數字。不過,就目前的觀察,三星仍在上緊發條不放松。

事實上,三星在2018 年第1 季的半導體資本支出達到67.2 億美元,較之前3 季水平略高。但是,若相較2016 年同期,則已經成長近4 倍的規模。累計過去4 季以來,三星半導體部門的資本支出已經達到266 億美元的金額。

IC insight 預期,2018 年三星半導體的資本支出將在200 億元上下,略低于2017 年242 億美元。不過,因為2018 年首季就有較之前略高的成長。因此,最后的結果很可能將比預期的200 億美元來的高。

另外,因為NAND Flash 及DRAM 的市場需求強勁,韓國存儲器大廠SK 海力士預期也將在2018 年增加資本支出至115 億美元,較2017 年的81 億美元成長42%。

SK 海力士在2018 年增加的資本支出,將主用于在韓國清州兩家大型存儲器工廠的建置工作上。另外,還要擴大中國無錫的DRAM 工廠。清州工廠在2018 年年底前將開始興建,而中國無錫DRAM 廠的擴建,也計劃在2018年年底前動工,這時間將比原計劃的2019 年初開工要早幾個月。

所屬類別: 行業動態

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