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中科大與中芯國際在光刻工藝取得重要進展

來源:今日半導體微信公眾號 日期:2018年6月11日

      近日,中國科學院大學微電子學院與中芯國際集成電路制造有限公司在產學研合作中取得新進展,成功在光刻工藝模塊中建立了極坐標系下規避顯影缺陷的物理模型。通過該模型可有效減小浸沒式光刻中的顯影缺陷,幫助縮短顯影研發周期,節省研發成本,為確定不同條件下最優工藝參數提供建議。該成果已在國際光刻領域期刊Journal of Micro-Nanolithography MEMS and MOEMS發表。

      超大規模集成電路先進光刻工藝中,圖案尺寸越來越小、密度越來越高,顯影后的殘留缺陷對圖案化的襯底表面越來越粘,如何有效去除顯影缺陷一直是業界探討的熱點問題之一,國際上對此也尚未存在完備的解決方案。利用校企合作的平臺,國科大微電子學院馬玲同學通過向校內、企業導師的不斷請教和討論,結合同中芯國際光刻研發團隊的密切協作,成功建立一種基于粘滯流體力學的顯影缺陷物理模型,可以探究單硅片上顯影過程中出現的各種物理極限以及針對不同規格缺陷的去除解決方案,為解決這一難題開辟了全新的道路。同時,這一模型的提出還有助于完善國產裝備中勻膠顯影機的相關算法。

所屬類別: 行業動態

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